一、單晶硅差壓變送器工作原理

利用單晶硅的壓阻效應(yīng)而構(gòu)成。采用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴(kuò)散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。當(dāng)壓力發(fā)生變化時(shí)，單晶硅產(chǎn)生應(yīng)變，使直接擴(kuò)散在上面的應(yīng)變電阻產(chǎn)生與被測壓力成比例的變化，再由橋式電路獲得相應(yīng)的電壓輸出信號。

二、單晶硅差壓變送器技術(shù)參數(shù)

測量范圍

相對壓力：0～400Pa～35MPa

絕對壓力：0～1.75KPa～35MPa

信號輸出

4-20mA +HART通訊協(xié)議（兩線制）

測量精度

綜合誤差：（包括線性度、重復(fù)性、遲滯），特殊要求可定0.075%

長期穩(wěn)定性

每年優(yōu)于0.15%F.S

五年優(yōu)于0.2%F.S

溫度范圍

允許介質(zhì)溫度：（-40～120）℃

允許環(huán)境溫度：（-40～85）℃

允許儲存溫度：（-40～85）℃

溫度影響

相對于25℃：≤±0.4%標(biāo)準(zhǔn)量程

阻尼時(shí)間

0~40S連續(xù)可調(diào)

抗震動(dòng)：2g 1000HZ ±0.05%g

抗沖擊：50g 11mesc

電磁兼容特性：符合IEC801標(biāo)準(zhǔn)

傳感器允許過壓：標(biāo)準(zhǔn)量程3倍壓力

零點(diǎn)最小報(bào)警電流范圍：3.8mA

滿度最大報(bào)警電流范圍：21mA

啟動(dòng)時(shí)間：3S 無需預(yù)熱

與介質(zhì)接觸部分材料

過程連接件：不銹鋼316， 哈氏合金C

傳感器膜片：不銹鋼316， 哈氏合金C

與介質(zhì)非接觸部分材料

外殼： 壓鑄鋁帶環(huán)氧樹脂涂層

傳感器充灌液:硅油 厭氧油

現(xiàn)場顯示:液晶3 1/2精度數(shù)字式顯示器 液晶模擬條狀顯示器

防護(hù)等級:IP66

重量:約1Kg

防爆等級防爆型 Ex d ⅡC T5 ，本安型 Ex ia ⅡC T5

允許環(huán)境濕度:100%RH